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李庚年病逝，享年74岁

李庚年先生是中国著名的物理学家，于2021年5月22日病逝，享年74岁。

李庚年先生在物理学领域做出了许多杰出的贡献，被誉为“李政道之后中国物理学的又一代表”。他曾在中国科学院物理研究所、中科院半导体研究所、北京大学物理学院等机构工作，并曾荣获过各种科学奖项，包括国际半导体学会颁发的ISCS Max Born奖、美国材料研究学会颁发的MRS Von Hippel奖等。

李庚年先生的研究领域主要涉及材料物理学、半导体物理学等，其中最为重要的成果之一是他的“李氏规律”理论，揭示了材料物理学中晶体生长和薄膜制备的规律，对材料科学领域的发展产生了极为深远的影响。

除此之外，李庚年先生还参与了许多重要的科研项目，如中国第一颗半导体激光器的研制。他还是一位杰出的教育家，曾多次担任国内外高等院校和研究机构的访问教授，并为许多年轻科学家提供了帮助和指导。

李庚年先生的离世给国际科学界和中国物理学界带来了巨大的损失，但他的学术成果和精神仍将永载史册，对后人产生不可磨灭的影响。

我们应该怀念李庚年先生，向他致以最高的敬意，并且时刻铭记他的学术成果和崇高精神，以此激励更多的年轻学者继续投身于科学事业中，为国家和人民做出更大的贡献。