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苏州晶方半导体科技股份有限公司发布最新技术成果

苏州晶方半导体科技股份有限公司最近公布了其新一代高温SiC功率器件的技术成果，该成果将进一步提升SiC功率器件在高温、高压、高频等极端环境下的稳定性和可靠性。

据悉，苏州晶方半导体科技股份有限公司的新一代高温SiC功率器件采用了全新的晶体生长和器件制备工艺，结合优化的物理结构设计以及工艺流程控制，实现了高温SiC功率器件的重大突破。

SiC功率器件是未来新一代高性能、高效能电力电子器件的代表。它们的热导率高，不能被加热和熔化，同时，它们也具有高电子迁移率、抗辐照性等诸多优良性能，是实现超高功率密度的理想选择。

然而，高温和高压环境下的SiC功率器件容易出现一系列问题，例如漏电流、击穿电压下降等，这也限制了其在复杂环境条件下的应用，例如航空、飞行器、轨道交通等高端领域。

苏州晶方半导体科技股份有限公司的新一代高温SiC功率器件通过优化物理结构设计，改善了电场分布状况，提升了器件的抗击穿能力，同时，在晶体生长和器件制备工艺上做了多项创新。

该公司负责人表示，新一代高温SiC功率器件具有出色的高温性能和可靠性，能够承受高达250度以上的工作温度，其热稳定性在更高温度下也得到了验证。

此外，新一代高温SiC功率器件的击穿电压得以提高，漏电流水平大幅下降，整体性能稳定性和可靠性得到了大幅提高。

苏州晶方半导体科技股份有限公司作为全球领先的SiC功率领域厂商之一，不断推进SiC基础晶体生长技术和器件制备工艺的研究，积极探索高端电子器件的应用市场，为推进智能化工业、提升国家制造业水平做出更多贡献。